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2024-11

LLC谐振变换器详解（五）| RLC回路频域分析

在RLC谐振回路里面，当输入频率f=f0的时候，不管R多大，增益G都等于1。如果输入频率不在f0处， R不同的时候增益会不一样。
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2025-11

LLC谐振变换器详解（四）| 谐振电路基础

由于LLC谐振变换器可以实现电气隔离，高效率，高功率密度，低EMI等功能，因此在汽车与工业得到广泛应用。因其多模态工作，设计计算复杂，通常采用其等效电路分析。
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2024-11

LLC谐振变换器详解（三）| 谐振变换器衍变

由于串并联变换器（LCC结构），在宽输入电压范围时，会出现高循环能量和高开关损耗。为了让其全过程工作在ZVS模式，通过改变LCC谐振腔，将其变为双谐振网络
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2024-11

LLC谐振变换器详解（二）| 谐振拓扑比较

谐振变换器是以谐振电路为基本变换单元，利用电路发生谐振时，电流或电压周期性地过零点，使得开关器件在零电压或者零电流条件下开通或者关断，从而实现软开关，达到降低开关损耗的目的。
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2024-11

LLC谐振变换器详解（一）| 谐振变换器介绍

在传统的硬开关电路中，开关损耗较大，且随着工作频率的提高，损耗问题愈发突出，这限制了电源转换效率的提升以及设备的小型化。
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2024-10

瑶芯技术分享 | IGBT 在系统中的短路及其保护

IGBT是由MOSFET和BJT复合而成，相比于其他大功率开关器件，IGBT具有小驱动功率、大电流、无二次击穿效应且易于并联的优势。因此，IGBT广泛应用于白家电、伺服电机和新能源发电系统。
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2024-09

瑶芯技术分享 | 三相维也纳PFC功率器件损耗分析

三相维也纳PFC是一种三电平PWM整流器拓扑，旨在提高电源系统的效率和功率因数。因其所需的开关器件少，单个功率器件所承受的最大电压为输出母线电压的一半，无需设置驱动死区时间，无桥臂直通问题等特点得到广泛应用。
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2024-09

瑶芯技术分享 | 多层外延技术超结MOSFET应用

随着新能源、电动汽车、人工智能等产业蓬勃发展，一定程度上带动了功率器件尤其是超结（SJ）MOSFET的强劲需求。以瑶芯微为代表的国产半导体新锐品牌，顺势推出基于超级结多层外延技术的全新G2.5平台超结MOSFET。
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2024-08

技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流）‌，‌其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。‌雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，‌因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。‌
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2024-08

技术分享 | SiC MOSFET串扰特性

第三代宽禁带半导体材料SiC相对Si器件具有更快的开关速度，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来更小的损耗，系统磁性元器件体积减小，功率密度的提升等优势。
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2024-08

技术分享 | 反激式同步整流效率影响分析

众所周知，同步整流(Synchronous Rectification, SR)是采用通态电阻极低的功率MOSFET替代整流二极管以降低损耗的一项新技术，它能大幅提升电源效率，并可利用其二次侧的优势改善电源指标，符合开关电源小型化、高能效、智能化的发展趋势。
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2024-08

技术分享 | 直流无刷电机驱动电路MOSFET应用

由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点，已经在各领域中得到了广泛应用。其内部电子绕组可看作一个电感线圈。

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